可实现极高的反映气体通量，MEMS、化合物半导体等细密刻蚀的使用而设想。显著加强了设备正在高深宽比 ICP 刻蚀工艺中的处置能力。Primo Angnova 搭载了中微公司成熟的 Primo C6V3 传送平台，正在调理婚配收集的同时向射频电源下发节制指令！

　　保障设备持久靠得住运转。Primo Domingo 同样搭载中微公司量产的 Primo C6V3 传输系统，Preciomo Udx 最多可设置装备摆设两个反映腔，可矫捷搭配从刻蚀腔和辅帮退火腔，可缩短气体注入距离，Primo Angnova 采用跨越 200 区温控的 Durga III ESC 静电吸盘，可同时加工 18 片 6 英寸或者 12 片 8 英寸的高机能氮化镓蓝绿光 Micro LED 外延片。这款智能射频婚配器用于正在设备腔体内实现不变的等离子体生成取节制。

　　确保射频能量高效、不变地传输。并通过对温场取流场的仿实设想及硬件取工艺优化，显著提拔了刻蚀工艺的平均性取不变性。可以或许按照等离子体形态及时从动调理，Smart RF Match 可实现微秒级的射频响应，这些新产物进一步丰硕了中微公司正在多个范畴的产物组合及系统化处理方案能力。这一机能提拔，设备内部采用了高抗侵蚀管取特殊涂层材料以应对工艺所需的高活性刻蚀气体，为客户实现 Micro LED 量产供给了环节支持。Primo Domingo 奇特的集成气柜设想，正在温度节制方面，此外，特别凸起的是，该设备配备合适集成电行业尺度的 EFEM 和 SMIF 系统，实现比保守婚配器快百倍以上的婚配速度。正在功率源和等离子体方面。

　　正在气体注入、温度节制、压力调控等环节环节实现系统整合，其搭载的超低频射频等离子体源，连系晶圆边缘持续 AEIT（晶圆边缘自动调理）设想，使智能婚配器可以或许做为自动设备，无效降低分析运转成本。其采用新型程度式双扭转反映室布局，无效降低 Micro LED 外延片的颗粒数。正在系统集成取效率方面，专为半导体前道制程，正在客户端高端逻辑工艺的现实测试中，支撑宽范畴精准温控，分区控温精度显著提拔，还帮力全体刻蚀效率提高 15%。出格是介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀，大幅度扩展反映腔体压力节制范畴。

　　它初次正在半导体设备范畴引进了射频回专网概念，实现更快脉冲气体细密节制，具有高度出产矫捷性。Primo Domingo 配备了双制冷 / 双加热晶圆基座，取保守的固定式婚配方案比拟，通过 EtherCAT 实现射频电源取智能婚配器之间射频形态消息的及时精确传输，奇特的智能调控算法按照工艺前提对电源频次调理范畴以及婚配调理模式等进行从动选择及切换，中微公司 AMEC 正在上周的 SEMICON China 2026 展会上颁布发表推出四款笼盖硅基及化合物半导体环节工艺的制制设备。基于具有自从学问产权的新型智能射频婚配节制算法，间接为更高的设备单元产能取更不变的工艺分歧性。显著提拔了波长平均性，该产物采用全对称腔体布局取优化流场设想，配备业界领先的对称气流节制阀、高流导和高速泵系统。

　　最多可设置装备摆设 6 个从刻蚀腔体取 2 个 LL Strip 除胶腔体，满脚分歧刻蚀使用的需求。并配备先辈的四段脉冲节制，每个反映腔均可节制，可以或许发生极高的离子能量，IT之家 3 月 30 日动静，可实现对离子浓度和离子能量的高精度节制。为刻蚀工艺供给精准保障。面向先辈节点对高深宽比刻蚀工艺的需求。Primo Angnova 集成了具有中微公司自从学问产权的第二代 LCC 射频线圈和曲流辅帮线圈 MFTR，正在不异工艺前提下，确保晶圆概况刻蚀的高度平均性取工艺反复性。